FA38SA50LCP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FA38SA50LCP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT-227
Аналог (замена) для FA38SA50LCP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FA38SA50LCP даташит
fa38sa50lcp.pdf
FA38SA50LCP www.vishay.com Vishay Semiconductors Power MOSFET, 38 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements SOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for industrial level Material
fa38sa50lc.pdf
PD - 91615B FA38SA50LC HEXFET Power MOSFET Fully Isolated Package D Easy to Use and Parallel VDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.13 Fully Avalanche Rated G Simple Drive Requirements ID = 38A Low Drain to Case Capacitance S Low Internal Inductance Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with
fa38sa50.pdf
PD 9.1615 FA38SA50 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Fully Isolated Package D Easy to Use and Parallel VDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.13 Fully Avalanche Rated G Simple Drive Requirements ID = 38A Low Drain to Case Capacitance S Low Internal Inductance Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the desi
fa38sa50.pdf
FA38SA50LCP Vishay Semiconductors Power MOSFET, 38 A FEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated SOT-227 Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC Designed for industrial level
Другие MOSFET... F5S90HVX2 , F5V50 , F5V90HVX2 , F60W60CP , F6B52HP , F6F70HVX2 , F7F60C3M , F7W90HVX2 , EMB04N03H , FA57SA50LCP , FC40SA50FKP , FC4A22050L , FC4B21080L , FC4B21300L , FC4B21320L , FC4B22070L , FC4B22180L .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet




