Справочник MOSFET. FA38SA50LCP

 

FA38SA50LCP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FA38SA50LCP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 340 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FA38SA50LCP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
fa38sa50lcp.pdfpdf_icon

FA38SA50LCP

FA38SA50LCPwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 38 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirementsSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for industrial level Material

 4.1. Size:171K  international rectifier
fa38sa50lc.pdfpdf_icon

FA38SA50LCP

PD - 91615BFA38SA50LCHEXFET Power MOSFET Fully Isolated PackageD Easy to Use and ParallelVDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.13 Fully Avalanche RatedG Simple Drive RequirementsID = 38A Low Drain to Case CapacitanceS Low Internal InductanceDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with

 6.1. Size:120K  international rectifier
fa38sa50.pdfpdf_icon

FA38SA50LCP

PD 9.1615FA38SA50PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Fully Isolated PackageD Easy to Use and ParallelVDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.13 Fully Avalanche RatedG Simple Drive RequirementsID = 38A Low Drain to Case CapacitanceS Low Internal InductanceDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the desi

 6.2. Size:194K  vishay
fa38sa50.pdfpdf_icon

FA38SA50LCP

FA38SA50LCPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 38 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche ratedSOT-227 Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC Designed for industrial level

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.