FA38SA50LCP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FA38SA50LCP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 500 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 38 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 280 nC
Время нарастания (tr): 340 ns
Выходная емкость (Cd): 1600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT-227
Аналог (замена) для FA38SA50LCP
FA38SA50LCP Datasheet (PDF)
fa38sa50lcp.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FA38SA50LCPwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 38 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirementsSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for industrial level Material
fa38sa50lc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 91615BFA38SA50LCHEXFET Power MOSFET Fully Isolated PackageD Easy to Use and ParallelVDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.13 Fully Avalanche RatedG Simple Drive RequirementsID = 38A Low Drain to Case CapacitanceS Low Internal InductanceDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the designer with
fa38sa50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD 9.1615FA38SA50PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Fully Isolated PackageD Easy to Use and ParallelVDSS = 500V Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.13 Fully Avalanche RatedG Simple Drive RequirementsID = 38A Low Drain to Case CapacitanceS Low Internal InductanceDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierprovide the desi
fa38sa50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FA38SA50LCPVishay SemiconductorsPower MOSFET, 38 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche ratedSOT-227 Simple drive requirements Low drain to case capacitance Low internal inductance UL pending Compliant to RoHS directive 2002/95/EC Designed for industrial level
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FA57SA50LCP
History: FA57SA50LCP
![FA38SA50LCP](https://alltransistors.com/images/us.png)
![FA38SA50LCP](https://alltransistors.com/images/es.png)
![FA38SA50LCP](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C