FC6B21100L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FC6B21100L
Маркировка: 33
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
trⓘ - Время нарастания: 5300 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
Тип корпуса: MLGA006
Аналог (замена) для FC6B21100L
FC6B21100L Datasheet (PDF)
fc6b21100l.pdf
Doc No. TT4-EA-14512Revision. 2Product StandardsMOS FETFC6B21100LFC6B21100LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits2.676 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 4.5 m VGS = 4.5 V)1 2 3 CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 co
fc6b21150l.pdf
Doc No. TT4-EA-14950Revision. 1Product StandardsMOS FETFC6B21150LFC6B21150LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits2.146 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 4.0 mVGS = 4.5 V)1 2 3 CSPChip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.3 Marki
fc6b22100l.pdf
Doc No. TT4-EA-14734Revision. 2Product StandardsMOS FETFC6B22100LFC6B22100LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits2.566 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 8.2 m VGS = 4.5 V)1 2 3 CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 co
fc6b22220l.pdf
Doc No. TT4-EA-14847Revision. 1Product StandardsMOS FETFC6B22220LFC6B22220LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits2.566 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 8.2 m VGS = 4.5 V)1 2 3 CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)
fc6b22090l.pdf
Doc No. TT4-EA-14513Revision. 1Product StandardsMOS FETFC6B22090LFC6B22090LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mmFor lithium-ion secondary battery protection circuits2.566 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 8.5 m VGS = 4.5 V)1 2 3 CSP package:smallest & thinnest size RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 co
fc6b22160l.pdf
Doc No. TT4-EA-14964Revision. 1Product StandardsMOS FETFC6B22160LFC6B22160LGate resistor installed Dual N-channel MOS FETUnit: mm For lithium-ion secondary battery protection circuits2.656 5 4 Features Low source-source ON resistance:Rss(on) typ. = 4.7 mVGS = 4.5 V)1 2 3 CSP(Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918