Справочник MOSFET. FJ4B0112

 

FJ4B0112 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FJ4B0112
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: ULGA004
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FJ4B0112 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2749K  panasonic
 fj4b0112.pdf pdf_icon

FJ4B0112

Doc No. TT4-EA-14960Revision. 1Product StandardsMOS FETFJ4B01120LFJ4B01120LSingle P-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits1.04 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 40 mVGS = -2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.25 Marking Symbol: 1FBOTTOM Packaging

 7.1. Size:2759K  panasonic
 fj4b0110.pdf pdf_icon

FJ4B0112

Doc No. TT4-EA-14958Revision. 1Product StandardsMOS FETFJ4B01100LFJ4B01100LSingle P-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits0.804 3TOP Features Low Drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 68 m(VGS = -2.5 V)1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.20 Marking Symbol: 1DBOTTOM Packaging

 7.2. Size:2778K  panasonic
 fj4b0111.pdf pdf_icon

FJ4B0112

Doc No. TT4-EA-14953Revision. 1Product StandardsMOS FETFJ4B01110LFJ4B01110LSingle P-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching circuits0.6043TOP Features Drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 141 m( VGS = -2.5 V )1 2 CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant)0.15 Marking Symbol: 1EBOTTOM Packaging

 8.1. Size:714K  panasonic
 fj4b0124.pdf pdf_icon

FJ4B0112

Doc No. TT4-EA-15007Revision. 1Product StandardsMOS FETFJ4B01240LFJ4B01240LSingle P-channel MOS FETUnit: mmFor Load switching / Battery Management circuitsTOP Features Low Drain-source ON resistance:Rds(on) typ. = 21 mVGS = -3.2 V) CSP (Chip Size Package) RoHS compliant (EU RoHS / MSL:Level 1 compliant) Marking Symbol: 1JBOTTOM Packaging

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.