FKI07076. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FKI07076
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 575 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0069 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для FKI07076
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FKI07076 даташит
fki07076.pdf
75 V, 55 A, 5.3 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET FKI07076 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220F ID ---------------------------------------------------------- 55 A RDS(ON) ---------- 6.9 m max. (VGS = 10 V, ID = 44.0 A) Qg ------42.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 44.0 A) Low Total Gate Charge
fki07076.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FKI07076 FEATURES Drain Current I =55A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =75V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =6.9m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
fki07117.pdf
75 V, 42 A, 7.2 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET FKI07117 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220F ID ---------------------------------------------------------- 42 A RDS(ON) ---------- 9.7 m max. (VGS = 10 V, ID = 31.2 A) Qg ------25.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 31.2 A) Low Total Gate Charge
fki07174.pdf
75 V, 31 A, 10.4 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET FKI07174 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 75 V (ID = 100 A) TO-220F ID ---------------------------------------------------------- 31 A RDS(ON) -------- 14.1 m max. (VGS = 10 V, ID = 22.8 A) Qg ------15.0 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 38 V, ID = 22.8 A) Low Total Gate Charge
Другие MOSFET... FK8V06120L , FKG1020 , FKH0660 , FKI06051 , FKI06075 , FKI06108 , FKI06190 , FKI06269 , AO3400A , FKI07117 , FKI07174 , FKI10126 , FKI10198 , FKI10300 , FKI10531 , FL525205 , FL6L5201 .
History: NCE80T900
History: NCE80T900
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor



