NTB5412NT4G - описание и поиск аналогов

 

NTB5412NT4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB5412NT4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB5412NT4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB5412NT4G даташит

 ..1. Size:117K  onsemi
ntb5412nt4g ntb5412n ntp5412n ntp5412ng.pdfpdf_icon

NTB5412NT4G

 8.1. Size:139K  onsemi
ntb5411nt4g ntp5411ng.pdfpdf_icon

NTB5412NT4G

 8.2. Size:143K  onsemi
ntb5411n ntp5411n.pdfpdf_icon

NTB5412NT4G

 9.1. Size:128K  onsemi
ntb5404n ntp5404n.pdfpdf_icon

NTB5412NT4G

NTB5404N, NTP5404N Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220 Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability ID MAX Low Gate Charge V(BR)DSS RDS(ON) TYP (Note 1) This is a Pb-Free Device 40 V 3.5 mW @ 10 V 136 A Applications D Electronic Brake Systems Electronic Power Steering N-Channel Bridge Circuits G MAXIMUM RATI

Другие MOSFET... NTB35N15G , NTB4302 , NTB45N06G , NTB45N06LG , NTB52N10G , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , 2N60 , NTB5426NT4G , NTB5605PG , NTB5860N , NTB5860NL , NTB60N06G , NTB60N06L , NTB6410ANG , NTB6411ANG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.