Справочник MOSFET. NTD3817N-1G

 

NTD3817N-1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTD3817N-1G
   Маркировка: 3817N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 257 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0139 Ohm
   Тип корпуса: DPAK IPAK

 Аналог (замена) для NTD3817N-1G

 

 

NTD3817N-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  onsemi
 ntd3817n-1g.pdf

NTD3817N-1G NTD3817N-1G

NTD3817NPower MOSFET16 V, 34.5 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices13.9 mW @ 10 V16 V34.5 AApplicat

 8.1. Size:94K  onsemi
 ntd3813n-1g.pdf

NTD3817N-1G NTD3817N-1G

NTD3813NPower MOSFET16 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices8.75 mW @ 10 V16 V51 AApplications

 9.1. Size:93K  onsemi
 ntd3808n-1g.pdf

NTD3817N-1G NTD3817N-1G

NTD3808NPower MOSFET16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Devices5.8 mW @ 10 V16 V76 AApplications8.5 mW @ 4.5 V DC-DC Con

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top