NTD4960N-1G - аналоги и даташиты транзистора

 

NTD4960N-1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTD4960N-1G
   Маркировка: 4960N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 342 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DPAK IPAK
 

 Аналог (замена) для NTD4960N-1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD4960N-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  onsemi
 ntd4960n-1g.pdf pdf_icon

NTD4960N-1G

NTD4960NPower MOSFET30 V, 55 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS8.0

 8.1. Size:123K  1
 ntd4963ng.pdf pdf_icon

NTD4960N-1G

NTD4963NPower MOSFET30 V, 44 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS9.6

 8.2. Size:118K  onsemi
 ntd4969n-d.pdf pdf_icon

NTD4960N-1G

NTD4969NPower MOSFET30 V, 41 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS9.0

 8.3. Size:114K  onsemi
 ntd4969n-1g.pdf pdf_icon

NTD4960N-1G

NTD4969NPower MOSFET30 V, 41 A, Single N-Channel, DPAK/IPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Three Package Variations for Design FlexibilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS9.0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTD4857N-1G , NTD4858N-1G , NTD4860N-1G , NTD4863N-1G , NTD4865N-1G , NTD4904N-1G , NTD4909N-1G , NTD4910N-1G , SI2302 , NTD4963N-1G , NTD4965N-1G , NTD4969N-1G , NTD4970N-1G , NTD50N03R , NTD5406NG , NTD5407NG , NTD5413NT4G .

History: NTD4865N-1G | P0460BTF

 

 
Back to Top

 


 
.