Справочник MOSFET. NTD6415AN-1G

 

NTD6415AN-1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTD6415AN-1G
   Маркировка: 6415AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для NTD6415AN-1G

 

 

NTD6415AN-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  onsemi
 ntd6415an-1g.pdf

NTD6415AN-1G NTD6415AN-1G

NTD6415AN, NVD6415ANN-Channel Power MOSFET100 V, 23 A, 55 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested AEC Q101 Qualified - NVD6415ANID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)100 V 55 mW @ 10 V 23 AParameter Symbol Value

 5.1. Size:259K  onsemi
 ntd6415anl-d.pdf

NTD6415AN-1G NTD6415AN-1G

NTD6415ANLN--Channel Power MOSFET100 V, 23 A, 56 m, LogicLevelFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com 100% Avalanche Tested AEC--Q101 QualifiedV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant56 m @4.5 V100 V 23 A52 m @10VMAXIMUM RATINGS (TJ =25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value Uni

 5.2. Size:138K  onsemi
 ntd6415an.pdf

NTD6415AN-1G NTD6415AN-1G

NTD6415ANN-Channel Power MOSFET100 V, 23 A, 55 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantID MAXV(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value Unit100 V 55 mW @ 10 V 23 ADrain-to-Source Voltage VDSS 100 VGate

 5.3. Size:72K  onsemi
 ntd6415anl nvd6415anl.pdf

NTD6415AN-1G NTD6415AN-1G

NTD6415ANL, NVD6415ANLN-Channel Power MOSFET100 V, 23 A, 56 mW, LogicLevelFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com 100% Avalanche Tested NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAXUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable56 mW @ 4.5 V100 V 23 A These Devices are Pb-Free and are RoHS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTF2955T1G

 

 
Back to Top