Справочник MOSFET. FCP190N65S3

 

FCP190N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCP190N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 144 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FCP190N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  onsemi
fcp190n65s3.pdfpdf_icon

FCP190N65S3

FCP190N65S3MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 17 A, 190 mWDescription www.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gate650 V 190 mW @ 10 V 17 Acharge performance. This advanc

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
fcp190n65s3.pdfpdf_icon

FCP190N65S3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FCP190N65S3FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXI

 0.1. Size:357K  onsemi
fcp190n65s3r0.pdfpdf_icon

FCP190N65S3

FCP190N65S3R0MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 17 A, 190 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailor

 5.1. Size:998K  fairchild semi
fcp190n65f.pdfpdf_icon

FCP190N65S3

August 2014FCP190N65FN-Channel SuperFET II FRFET MOSFET650 V, 20.6 A, 190 mFeatures Description 700 V @ TJ = 150C SuperFET II MOSFET is Fairchild Semiconductors brand-newhigh voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing Typ. RDS(on) = 168 mcharge balance technology for outstanding low on-resistance Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 60 nC)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TPA65R280D | SIHG47N60S | 2SK1941-01R | 9N95 | IPB70N12S3-11 | IXTH30N60L2 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.