IRF3205STRLPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF3205STRLPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263
IRF3205STRLPBF Datasheet (PDF)
irf3205strlpbf.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBFDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMU
irf3205spbf irf3205lpbf.pdf

PD - 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t
irf3205lpbf irf3205spbf.pdf

PD - 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t
irf3205s.pdf

PD - 94149IRF3205S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res
Другие MOSFET... IPAN60R800CE , IPB073N15N5 , IPB090N06N3 , IPB156N22NFD , IPB60R280P6 , IPD30N03S2L , IPP60R060P7 , IPP60R070CFD7 , HY1906P , IRF7473TRPBF , IRFI3306G , IRFI4228 , IRFI7440G , IRFI7446G , IRFI7536G , IRFIP054 , 2N7636-GA .
History: TK14A45DA
History: TK14A45DA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457