Справочник MOSFET. 2N7636-GA

 

2N7636-GA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N7636-GA
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 250 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.425 Ohm
   Тип корпуса: TO-276AA
 

 Аналог (замена) для 2N7636-GA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N7636-GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  genesic
 2n7636-ga.pdf pdf_icon

2N7636-GA

2N7636-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.7 V ID = 4 A RDS(ON) = 425 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Gate oxide free SiC switch S Suitable for connecting an anti-parallel diode Positive temperature coefficient for ea

 9.1. Size:845K  genesic
 2n7639-ga.pdf pdf_icon

2N7636-GA

2N7639-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 600 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.3 V ID = 20 A RDS(ON) = 65 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 9.2. Size:467K  genesic
 2n7637-ga.pdf pdf_icon

2N7636-GA

2N7637-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.2 V ID = 7 A RDS(ON) = 170 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode G

 9.3. Size:504K  genesic
 2n7635-ga.pdf pdf_icon

2N7636-GA

2N7635-GANormally OFF Silicon Carbide VDS = 650 V Junction Transistor VDS(ON) = 1.7 V ID = 4 A RDS(ON) = 425 m Features Package 250 C maximum operating temperature RoHS Compliant Temperature independent switching performance D Electrically isolated base-plate Gate oxide free SiC switch Suitable for connecting an anti-parallel diode Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF3205STRLPBF , IRF7473TRPBF , IRFI3306G , IRFI4228 , IRFI7440G , IRFI7446G , IRFI7536G , IRFIP054 , IRF740 , 2N7637-GA , 2N7638-GA , 2N7639-GA , 2N7640-GA , IRFZ24NLPBF , 2N7635-GA , IRLB4132 , IRLI3705 .

 

 
Back to Top

 


 
.