IRLB4132 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLB4132
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
trⓘ - Время нарастания: 92 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220C
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRLB4132 Datasheet (PDF)
irlb4132pbf.pdf

Approved(Not Released)PD - TBDIRLB4132PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Optimized for UPS/Inverter ApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Low Voltage Power Tools30V 3.5m 36nCBenefitsDl Best in Class Performance for UPS/InverterApplicationsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSSDl Ultra-Low Gate ImpedanceGl Fully Characterized Avalanche VoltageTO-220ABand Curr
irlb4132.pdf

Approved(Not Released)PD - TBDIRLB4132PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Optimized for UPS/Inverter ApplicationsVDSS RDS(on) maxQgl Low Voltage Power Tools30V 3.5m 36nCBenefitsDl Best in Class Performance for UPS/InverterApplicationsl Very Low RDS(on) at 4.5V VGSSDl Ultra-Low Gate ImpedanceGl Fully Characterized Avalanche VoltageTO-220ABand Curr
irlb4132.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLB4132FEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLow voltage power toolsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
irlb4030pbf.pdf

PD - 97369IRLB4030PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl DC Motor DriveDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS100Vl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching RDS(on) typ.3.4ml Hard Switched and High Frequency CircuitsG max. 4.3mID 180ASBenefitsl Optimized for Logic Level Drivel Very Low RDS(ON) at 4.5V VGSl Superio
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: IRFB3607
History: IRFB3607



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor