SIHA11N80E - описание и поиск аналогов

 

SIHA11N80E - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SIHA11N80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SIHA11N80E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHA11N80E технические параметры

 ..1. Size:141K  vishay
 siha11n80e.pdf pdf_icon

SIHA11N80E

SiHA11N80E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES D Thin-Lead TO-220 FULLPAK Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction losses G Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) Material categorization for definitions of compliance S please see www.vishay.com/doc?99912

 ..2. Size:200K  inchange semiconductor
 siha11n80e.pdf pdf_icon

SIHA11N80E

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SiHA11N80E FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.1. Size:170K  vishay
 siha15n60e.pdf pdf_icon

SIHA11N80E

SiHA15N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.28 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 76 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 11 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 17

 9.2. Size:171K  vishay
 siha12n60e.pdf pdf_icon

SIHA11N80E

SiHA12N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 58 Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 6 Avalanche energy rated (UIS) Qgd (nC) 13 M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , NTB082N65S3F , NTE2393 , NTP082N65S3F , NTPF082N65S3F , STP75NF75 , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E , SWHA069R10VS , TK290P60Y , VN88AFD , 2SK3262-01MR .

 

 
Back to Top

 


 
.