SUP70040E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SUP70040E 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2025 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SUP70040E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SUP70040E даташит
sup70040e.pdf
SUP70040E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) d Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.0040 at VGS = 10 V 120 100 76 100 % Rg and UIS tested 0.0046 at VGS = 7.5 V 120 Material categorization for definitions of compliance please see TO-220AB
sup70040e.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SUP70040E FEATURES TrenchFET Power MOSFET 175 C Junction Temperature 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATION Power Supply - Secondary Synchronous Rectification Power tools Motor drive switch Battery management ABSOLUTE MAXIMU
sup70060e.pdf
SUP70060E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.0058 at VGS = 10 V 131 100 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested 0.0064 at VGS = 7.5 V 129 Material categorization for definitions of compliance please see TO-220A
sup70060e.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor SUP70060E FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt
Другие IGBT... NTB082N65S3F, NTE2393, NTP082N65S3F, NTPF082N65S3F, SIHA11N80E, SKS10N20, STP30NF10FP, SUD25N15-52-E3, 2SK3878, SWHA069R10VS, TK290P60Y, VN88AFD, 2SK3262-01MR, MTY30N50E, CMP80N06, CMB80N06, CMI80N06
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: JMSL0615PGDQ | AGM15T06C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c







