NTHD3101FT3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTHD3101FT3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTHD3101FT3 Datasheet (PDF)
nthd3101ft1g nthd3101ft3.pdf

NTHD3101FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFETthttp://onsemi.comFeatures Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics64 mW @ -4.5 V-20 V -4.4 A Indepe
nthd3101f.pdf

NTHD3101FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, Fetky, P-Channel, -3.2 A, with 2.2ASchottky Barrier Diode, ChipFET]Featureshttp://onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Independent Pinout to each Device to E
nthd3100c.pdf

AND PIN ANTHD3100CPower MOSFET20 V, +3.9 A /-4.4 A,Complementary ChipFETtFeatureshttp://onsemi.com Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics58 mW @ 4.5 VN-Channel Trench P-Channel for Low On Resistance3.9 A20 V77 mW @ 2
nthd3102c.pdf

NTHD3102CPower MOSFETComplementary, 20 V, +5.5 A /-4.2 A,ChipFETtFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET http://onsemi.com Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsID MAXV(BR)DSS RDS(on) TYP (Note 1) Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance Reduced Gate Charge to Improve
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PHP45N03LT
History: PHP45N03LT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330