NTHD3133PFT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTHD3133PFT1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: CHIPFET

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTHD3133PFT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTHD3133PFT1G даташит

 ..1. Size:92K  onsemi
 nthd3133pf nthd3133pft1g.pdf pdf_icon

NTHD3133PFT1G

NTHD3133PF Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt http //onsemi.com Features Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics 64 mW @ -4.5 V -20 V -4.4 A Indep

 8.1. Size:116K  onsemi
 nthd3101ft1g nthd3101ft3.pdf pdf_icon

NTHD3133PFT1G

NTHD3101F Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with 4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFETt http //onsemi.com Features Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics 64 mW @ -4.5 V -20 V -4.4 A Indepe

 8.2. Size:66K  onsemi
 nthd3101f.pdf pdf_icon

NTHD3133PFT1G

NTHD3101F Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, Fetky, P-Channel, -3.2 A, with 2.2A Schottky Barrier Diode, ChipFET] Features http //onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode MOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Independent Pinout to each Device to E

 8.3. Size:148K  onsemi
 nthd3100c.pdf pdf_icon

NTHD3133PFT1G

AND PIN A NTHD3100C Power MOSFET 20 V, +3.9 A /-4.4 A, Complementary ChipFETt Features http //onsemi.com Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics 58 mW @ 4.5 V N-Channel Trench P-Channel for Low On Resistance 3.9 A 20 V 77 mW @ 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTGS3447PT1G, NTGS3455T1, NTGS4111PT1, NTGS4141NT1G, NTGS5120PT1G, NTHD2110TT1G, NTHD3101FT1G, NTHD3101FT3, SI2302, NTHD4N02FT1, NTHD4P02FT1G, NTHD5904NT1, NTHD5904NT3, NTHS2101PT1, NTHS2101PT1G, NTHS4101PT1G, NTHS4111PT1G