NTHD3133PFT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTHD3133PFT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET
Аналог (замена) для NTHD3133PFT1G
NTHD3133PFT1G Datasheet (PDF)
nthd3133pf nthd3133pft1g.pdf

NTHD3133PFPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFETthttp://onsemi.comFeatures Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics64 mW @ -4.5 V-20 V -4.4 A Indep
nthd3101ft1g nthd3101ft3.pdf

NTHD3101FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, FETKYt, P-Channel, -4.4 A, with4.1 A Schottky Barrier Diode, ChipFETthttp://onsemi.comFeatures Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics64 mW @ -4.5 V-20 V -4.4 A Indepe
nthd3101f.pdf

NTHD3101FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, Fetky, P-Channel, -3.2 A, with 2.2ASchottky Barrier Diode, ChipFET]Featureshttp://onsemi.com Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky DiodeMOSFET 40% Smaller than TSOP-6 Package Leadless SMD Package Provides Great Thermal CharacteristicsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Independent Pinout to each Device to E
nthd3100c.pdf

AND PIN ANTHD3100CPower MOSFET20 V, +3.9 A /-4.4 A,Complementary ChipFETtFeatureshttp://onsemi.com Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 PackageV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MAX Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics58 mW @ 4.5 VN-Channel Trench P-Channel for Low On Resistance3.9 A20 V77 mW @ 2
Другие MOSFET... NTGS3447PT1G , NTGS3455T1 , NTGS4111PT1 , NTGS4141NT1G , NTGS5120PT1G , NTHD2110TT1G , NTHD3101FT1G , NTHD3101FT3 , IRFZ46N , NTHD4N02FT1 , NTHD4P02FT1G , NTHD5904NT1 , NTHD5904NT3 , NTHS2101PT1 , NTHS2101PT1G , NTHS4101PT1G , NTHS4111PT1G .
History: SSF3341L | CMLM8205 | VS4614AS-A | SSM4500GM | NCE80T900 | AP6N3R7MT | APT50M60JVR
History: SSF3341L | CMLM8205 | VS4614AS-A | SSM4500GM | NCE80T900 | AP6N3R7MT | APT50M60JVR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60