NTHS4501NT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTHS4501NT1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 137 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: CHIPFET
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTHS4501NT1 Datasheet (PDF)
nths4501n-d nths4501nt1 nths4501nt1g.pdf

NTHS4501NPower MOSFET30 V, 6.7 A, Single N-Channel, ChipFETt PackageFeatureshttp://onsemi.com Planar Technology Device Offers Low RDS(on) and Fast Switching Speedin a ChipFET Package Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6.V(BR)DSS RDS(on) Typ ID MaxIdeal Device for Applications Where Board Space is at a Premium.30 mW @ 10 V ChipFET Packag
nths4111pt1g.pdf

NTHS4111PPower MOSFET-30 V, -6.1 A, Single P-Channel, ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Packagehttp://onsemi.com ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6 Low Profile (
nths4166n nths4166nt1g.pdf

NTHS4166NPower MOSFET30 V, 8.2 A, Single N-Channel, ChipFETt PackageFeatureshttp://onsemi.com Trench Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Leadless ChipFET Package has 40% Smaller Footprint than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Excellent Thermal Capabilities22 mW @ 10 V This is a Pb-Free Device30 V 8.2 A27 mW @ 4.5 VApplications
nths4101p-d.pdf

NTHS4101PPower MOSFET-20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFETtFeatures Offers an Ultra Low RDS(on) Solution in the ChipFET Package Miniature ChipFET Package 40% Smaller Footprint than TSOP-6http://onsemi.commaking it an Ideal Device for Applications where Board Space is at aPremiumV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Profile (
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: CS6N65U | H07N65F | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SRC60R022FBS | PK6A6BA | IXTF02N450
History: CS6N65U | H07N65F | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SRC60R022FBS | PK6A6BA | IXTF02N450



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor