Справочник MOSFET. NTJS4151PT1

 

NTJS4151PT1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTJS4151PT1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1700 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для NTJS4151PT1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTJS4151PT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  onsemi
ntjs4151p ntjs4151pt1 ntjs4151pt1g.pdfpdf_icon

NTJS4151PT1

NTJS4151PTrench Power MOSFET-20 V, -4.2 A, Single P-Channel, SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life http://onsemi.com SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit BoardV(BR)DSS RDS(on) Typ ID MaxUtilization, Same as SC-70-647 mW @ -4.5 V Gate Diodes for ESD Protection-20 V 70 mW @ -2.5 V -4.2 A Pb-Free Package is Avai

 8.1. Size:81K  onsemi
ntjs4160n-d ntjs4160nt1g.pdfpdf_icon

NTJS4151PT1

NTJS4160NPower MOSFET30 V, 3.2 A, Single N-Channel, SC-88Features Offers an Low RDS(on) Solution in the SC-88 Package Low Profile (

 9.1. Size:102K  onsemi
ntjs4405n.pdfpdf_icon

NTJS4151PT1

NTJS4405NSmall Signal MOSFET25 V, 1.2 A, Single, N-Channel, SC-88Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)http://onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Pb-Free Packages are Available249 mW @ 4.5 V25 V 1.2 AApplications299 mW @ 2.7 V Boost and Buck Converter Load Switch N-Channel Batt

 9.2. Size:191K  onsemi
ntjs4405n nvjs4405n.pdfpdf_icon

NTJS4151PT1

NTJS4405N, NVJS4405NMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,SC-8825 V, 1.2 Ahttp://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)249 mW @ 4.5 V Higher Efficiency Extending Battery Life25 V 1.2 A299 mW @ 2.7 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

Другие MOSFET... NTJD4105CT1G , NTJD4152PT1G , NTJD4158CT1G , NTJS3151PT1G , NTJS3151PT2 , NTJS3157NT1G , NTJS3157NT2 , NTJS3157NT4 , MMD60R360PRH , NTJS4151PT1G , NTJS4160NT1G , NTJS4405NT1 , NTJS4405NT4 , NTK3043NAT5G , NTK3043NT1G , NTK3134NT1G , NTK3139PT1G .

History: S-LNTA4001NT1G | HGP115N15S | SSM6L36FE | CS5N70FA9 | HMS45N15K | TPM1012ER3 | P2206BEA

 

 
Back to Top

 


 
.