NTLJD3182FZTBG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTLJD3182FZTBG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: WDFN6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTLJD3182FZTBG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLJD3182FZTBG даташит

 ..1. Size:128K  onsemi
 ntljd3182fztag ntljd3182fztbg.pdf pdf_icon

NTLJD3182FZTBG

NTLJD3182FZ Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -4.0 A, mCoolt Single P-Channel & Schottky Barrier Diode, ESD Features WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellent http //onsemi.com Thermal Conduction Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package P-CHANNEL MOSFET Footprint Same as SC-88 Package V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Low Profile (

 7.1. Size:127K  onsemi
 ntljd3119ctag ntljd3119ctbg.pdf pdf_icon

NTLJD3182FZTBG

 7.2. Size:151K  onsemi
 ntljd3115p.pdf pdf_icon

NTLJD3182FZTBG

NTLJD3115P Power MOSFET -20 V, -4.1 A, mCoolt Dual P-Channel, 2x2 mm WDFN Package Features WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermal http //onsemi.com Conduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88 V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package 100 mW @ -4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive

 7.3. Size:169K  onsemi
 ntljd3119c.pdf pdf_icon

NTLJD3182FZTBG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTK3134NT1G, NTK3139PT1G, NTK3142PT1G, NTLGF3402PT1G, NTLGF3501NT2G, NTLJD3119CTAG, NTLJD3119CTBG, NTLJD3182FZTAG, 50N06, NTLJF3117PT1G, NTLJF3117PTAG, NTLJF3118NTAG, NTLJF4156NT1G, NTLJF4156NTAG, NTLJS1102PTAG, NTLJS1102PTBG, NTLJS2103PTAG