Справочник MOSFET. NTLJD3182FZTBG

 

NTLJD3182FZTBG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTLJD3182FZTBG
   Маркировка: JJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.71 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.2 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 90 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: WDFN6

 Аналог (замена) для NTLJD3182FZTBG

 

 

NTLJD3182FZTBG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  onsemi
 ntljd3182fztag ntljd3182fztbg.pdf

NTLJD3182FZTBG NTLJD3182FZTBG

NTLJD3182FZPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.0 A, mCoolt Single P-Channel& Schottky Barrier Diode, ESDFeatures WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellenthttp://onsemi.comThermal Conduction Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package P-CHANNEL MOSFET Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max Low Profile (

 7.1. Size:127K  onsemi
 ntljd3119ctag ntljd3119ctbg.pdf

NTLJD3182FZTBG NTLJD3182FZTBG

NTLJD3119CPower MOSFET20 V/-20 V, 4.6 A/-4.1 A, mCooltComplementary, 2x2 mm, WDFN PackageFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance65 mW @ 4.5 V 3.8 A

 7.2. Size:151K  onsemi
 ntljd3115p.pdf

NTLJD3182FZTBG NTLJD3182FZTBG

NTLJD3115PPower MOSFET-20 V, -4.1 A, mCoolt Dual P-Channel,2x2 mm WDFN PackageFeatures WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package100 mW @ -4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive

 7.3. Size:169K  onsemi
 ntljd3119c.pdf

NTLJD3182FZTBG NTLJD3182FZTBG

NTLJD3119CPower MOSFET20 V/-20 V, 4.6 A/-4.1 A, mCooltComplementary, 2x2 mm, WDFN PackageFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance65 mW @ 4.5 V 3.8 A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top