Справочник MOSFET. NTLJD3182FZTBG

 

NTLJD3182FZTBG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTLJD3182FZTBG
   Маркировка: JJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: WDFN6
 

 Аналог (замена) для NTLJD3182FZTBG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTLJD3182FZTBG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  onsemi
 ntljd3182fztag ntljd3182fztbg.pdf pdf_icon

NTLJD3182FZTBG

NTLJD3182FZPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -4.0 A, mCoolt Single P-Channel& Schottky Barrier Diode, ESDFeatures WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellenthttp://onsemi.comThermal Conduction Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package P-CHANNEL MOSFET Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max Low Profile (

 7.1. Size:127K  onsemi
 ntljd3119ctag ntljd3119ctbg.pdf pdf_icon

NTLJD3182FZTBG

NTLJD3119CPower MOSFET20 V/-20 V, 4.6 A/-4.1 A, mCooltComplementary, 2x2 mm, WDFN PackageFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance65 mW @ 4.5 V 3.8 A

 7.2. Size:151K  onsemi
 ntljd3115p.pdf pdf_icon

NTLJD3182FZTBG

NTLJD3115PPower MOSFET-20 V, -4.1 A, mCoolt Dual P-Channel,2x2 mm WDFN PackageFeatures WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction 2x2 mm Footprint Same as SC-88V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package100 mW @ -4.5 V 1.8 V RDS(on) Rating for Operation at Low Voltage Gate Drive

 7.3. Size:169K  onsemi
 ntljd3119c.pdf pdf_icon

NTLJD3182FZTBG

NTLJD3119CPower MOSFET20 V/-20 V, 4.6 A/-4.1 A, mCooltComplementary, 2x2 mm, WDFN PackageFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET WDFN Package with Exposed Drain Pad for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Footprint Same as SC-88 PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance65 mW @ 4.5 V 3.8 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NTK3134NT1G , NTK3139PT1G , NTK3142PT1G , NTLGF3402PT1G , NTLGF3501NT2G , NTLJD3119CTAG , NTLJD3119CTBG , NTLJD3182FZTAG , 50N06 , NTLJF3117PT1G , NTLJF3117PTAG , NTLJF3118NTAG , NTLJF4156NT1G , NTLJF4156NTAG , NTLJS1102PTAG , NTLJS1102PTBG , NTLJS2103PTAG .

 

 
Back to Top

 


 
.