NTLJS3180PZTBG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTLJS3180PZTBG
Маркировка: AA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
Тип корпуса: WDFN6
Аналог (замена) для NTLJS3180PZTBG
NTLJS3180PZTBG Datasheet (PDF)
ntljs3180pz ntljs3180pztbg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTLJS3180PZPower MOSFET-20 V, -7.7 A, mCoolt Single P-Channel,ESD, 2x2 mm WDFN PackageFeatures WDFN 2x2 mm Package with Exposed Drain Pads for Excellenthttp://onsemi.comThermal Conduction Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm PackageV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Footprint Same as SC-88 Package38 mW @ -4.5 V Low Profile (
ntljs3113pt1g ntljs3113ptag.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTLJS3113PPower MOSFET-20 V, -7.7 A, mCoolt Single P-Channel,2x2 mm, WDFN PackageFeatures Recommended Replacement Device - NTLUS3A40Phttp://onsemi.com WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package40 mW @ -4.5 V Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package50 mW @
ntljs3113p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTLJS3113PPower MOSFET-20 V, -7.7 A, mCoolt Single P-Channel,2x2 mm, WDFN PackageFeatures Recommended Replacement Device - NTLUS3A40Phttp://onsemi.com WDFN Package Provides Exposed Drain Pad for Excellent ThermalConduction V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) 2x2 mm Footprint Same as SC-88 Package40 mW @ -4.5 V Lowest RDS(on) Solution in 2x2 mm Package50 mW @
ntljs3a18pz.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTLJS3A18PZPower MOSFET-20 V, -8.2 A, mCoolt Single P-Channel,2.0x2.0x0.8 mm WDFN PackageFeatures WDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermalhttp://onsemi.comConduction Low Profile WDFN (2.0x2.0x0.8 mm) for Board Space SavingV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Ultra Low RDS(on)18 mW @ -4.5 V ESD Diode-Protected Gate25 mW @ -2.5 V-20 V -8.2 A T
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![NTLJS3180PZTBG](https://alltransistors.com/images/us.png)
![NTLJS3180PZTBG](https://alltransistors.com/images/es.png)
![NTLJS3180PZTBG](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C