NTMFS4825NFET1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS4825NFET1G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.95 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS4825NFET1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4825NFET1G даташит

 0.1. Size:104K  onsemi
 ntmfs4825nfet1g.pdf pdf_icon

NTMFS4825NFET1G

NTMFS4825NFE Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Includes Schottky Diode Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Dual Sided Cooling Capability V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Device 2.0 mW @ 10 V 171 A 30 V

 2.1. Size:115K  onsemi
 ntmfs4825nfe.pdf pdf_icon

NTMFS4825NFET1G

NTMFS4825NFE Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Includes Schottky Diode Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Dual Sided Cooling Capability V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These are Pb-Free Device 2.0 mW @ 10 V 171 A 30 V

 6.1. Size:116K  onsemi
 ntmfs4826ne.pdf pdf_icon

NTMFS4825NFET1G

NTMFS4826NE Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N-Channel, SO-8FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses Dual Sided Cooling Capability These are Pb-Free Devices* V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 5.9 mW @ 10 V 66 A Applications 30 V 8.7 mW @ 4.5 V 55

 6.2. Size:137K  onsemi
 ntmfs4821nt1g.pdf pdf_icon

NTMFS4825NFET1G

NTMFS4821N Power MOSFET 30 V, 58.5 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com Thermally Enhanced SO-8 Package These are Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.95 mW @ 10 V Refer to Application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMFS4121NT1G, NTMFS4122NT1G, NTMFS4701NT1G, NTMFS4707NT1G, NTMFS4708NT1G, NTMFS4744NT1G, NTMFS4821NT1G, NTMFS4823NT1G, 20N50, NTMFS4833NST1G, NTMFS4833NT1G, NTMFS4834NT1G, NTMFS4835NT1G, NTMFS4836NT1G, NTMFS4837NHT1G, NTMFS4837NT1G, NTMFS4839NHT1G