Справочник MOSFET. NTMS4177PR2G

 

NTMS4177PR2G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMS4177PR2G
   Маркировка: 4177P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для NTMS4177PR2G

 

 

NTMS4177PR2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  onsemi
 ntms4177p ntms4177pr2g.pdf

NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G

NTMS4177PPower MOSFET-30 V, -11.4 A, P-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max This is a Pb-Free Device12 mW @ -10 V-30 V -11.4 AApplications19

 4.1. Size:853K  cn vbsemi
 ntms4177pr.pdf

NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G

NTMS4177PRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop P

 5.1. Size:86K  onsemi
 ntms4177p.pdf

NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G

NTMS4177PPower MOSFET-30 V, -11.4 A, P-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max This is a Pb-Free Device12 mW @ -10 V-30 V -11.4 AApplications19

 7.1. Size:86K  onsemi
 ntms4176p ntms4176pr2g.pdf

NTMS4177PR2G NTMS4177PR2G

NTMS4176PPower MOSFET-30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max This is a Pb-Free Device18 mW @ -10 V-30 V -9.6 AApplications30 m

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top