NTMS4177PR2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTMS4177PR2G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.84 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для NTMS4177PR2G
NTMS4177PR2G Datasheet (PDF)
ntms4177p ntms4177pr2g.pdf

NTMS4177PPower MOSFET-30 V, -11.4 A, P-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max This is a Pb-Free Device12 mW @ -10 V-30 V -11.4 AApplications19
ntms4177pr.pdf

NTMS4177PRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop P
ntms4177p.pdf

NTMS4177PPower MOSFET-30 V, -11.4 A, P-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max This is a Pb-Free Device12 mW @ -10 V-30 V -11.4 AApplications19
ntms4176p ntms4176pr2g.pdf

NTMS4176PPower MOSFET-30 V, -9.6 A, P-Channel, SOIC-8Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losseshttp://onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board SpaceV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max This is a Pb-Free Device18 mW @ -10 V-30 V -9.6 AApplications30 m
Другие MOSFET... NTMFS6B03N , NTMFS6B05N , NTMFS6B14N , NTMS10P02R2G , NTMS3P03R2 , NTMS4101PR2 , NTMS4107NR2G , NTMS4176PR2G , IRFP450 , NTMS4404NR2 , NTMS4503NR2 , NTMS4700NR2 , NTMS4705NR2G , NTMS4706NR2 , NTMS4706NR2G , NTMS4800NR2G , NTMS4801NR2G .
History: AM1421P | IPP50R140CP
History: AM1421P | IPP50R140CP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166