NTMS4873NFR2G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTMS4873NFR2G 📄📄
Маркировка: 4873NF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.87 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTMS4873NFR2G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTMS4873NFR2G даташит
ntms4873nf-d ntms4873nfr2g.pdf
NTMS4873NF Power MOSFET 30 V, 11.5 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Includes SyncFET Schottky Diode http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device 12 mW @ 10 V
ntms4872n-d ntms4872nr2g.pdf
NTMS4872N Power MOSFET 30 V, 10.2 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device 13.5 mW @ 10 V Applications 30 V 10.2 A Disk
ntms4807n-d ntms4807nr2g.pdf
NTMS4807N Power MOSFET 30 V, 14.8 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 6.1 mW @ 10 V Disk Drives 30 V 14.8 A DC-DC Converters 7.5 mW @ 4.5 V Pri
ntms4816nr2g.pdf
NTMS4816N, NVMS4816N Power MOSFET 30 V, 11 A, N-Channel, SO-8 Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVMS4816N These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 10
Другие IGBT... NTMS4706NR2, NTMS4706NR2G, NTMS4800NR2G, NTMS4801NR2G, NTMS4802NR2G, NTMS4807NR2G, NTMS4816NR2G, NTMS4872NR2G, RFP50N06, NTMS4916NR2G, NTMS4917NR2G, NTMS4937NR2G, NTMS4939NR2G, NTMS4N01R2G, NTMS4P01R2, NTMS5835NLR2G, NTMS5838NLR2G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor











