NTMS5P02R2G - аналоги и даташиты транзистора

 

NTMS5P02R2G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTMS5P02R2G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8

 Аналог (замена) для NTMS5P02R2G

 

NTMS5P02R2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  onsemi
ntms5p02r2 ntms5p02r2g ntms5p02r2sg.pdfpdf_icon

NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2 Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts P-Channel Enhancement-Mode Single SOIC-8 Package http //onsemi.com Features VDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on) Providing Higher Efficiency -20 V 26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specifie

 6.1. Size:134K  onsemi
ntms5p02 nvms5p02.pdfpdf_icon

NTMS5P02R2G

NTMS5P02, NVMS5P02 MOSFET Power, Single, P-Channel, Enhancement Mode, SOIC-8 -5.4 A, -20 V http //onsemi.com Features VDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on) Providing Higher Efficiency -20 V 26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specifi

 9.1. Size:105K  onsemi
ntms5838nlr2g.pdfpdf_icon

NTMS5P02R2G

NTMS5838NL Power MOSFET 40 V, 7.5 A, 20 mW Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 20 mW @ 10 V 40 V 7.5 A Parameter Symbol Value Unit 36.5 mW @ 4.5 V Drain-to-Source Voltage

 9.2. Size:105K  onsemi
ntms5835nlr2g.pdfpdf_icon

NTMS5P02R2G

NTMS5835NL Power MOSFET 40 V, 12 A, 10 mW Features Low RDS(on) Low Capacitance http //onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise stated) 10 mW @ 10 V 40 V 12 A Parameter Symbol Value Unit 14 mW @ 4.5 V Drain-to-Source Voltage VDSS

Другие MOSFET... NTMS4916NR2G , NTMS4917NR2G , NTMS4937NR2G , NTMS4939NR2G , NTMS4N01R2G , NTMS4P01R2 , NTMS5835NLR2G , NTMS5838NLR2G , 2N60 , NTMS5P02R2SG , NTMS7N03R2G , NTMSD2P102LR2 , NTMSD3P102R2 , NTMSD6N303R2 , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ .

History: NTMS4P01R2

 

 
Back to Top

 


 
.