Справочник MOSFET. NTMS5P02R2G

 

NTMS5P02R2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTMS5P02R2G
   Маркировка: E5P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMS5P02R2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  onsemi
ntms5p02r2 ntms5p02r2g ntms5p02r2sg.pdfpdf_icon

NTMS5P02R2G

NTMS5P02R2Power MOSFET-5.4 Amps, -20 VoltsP-Channel Enhancement-ModeSingle SOIC-8 Packagehttp://onsemi.comFeaturesVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on)Providing Higher Efficiency-20 V26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specifie

 6.1. Size:134K  onsemi
ntms5p02 nvms5p02.pdfpdf_icon

NTMS5P02R2G

NTMS5P02, NVMS5P02MOSFET Power, Single,P-Channel, EnhancementMode, SOIC-8-5.4 A, -20 Vhttp://onsemi.comFeaturesVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on)Providing Higher Efficiency-20 V26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specifi

 9.1. Size:105K  onsemi
ntms5838nlr2g.pdfpdf_icon

NTMS5P02R2G

NTMS5838NLPower MOSFET40 V, 7.5 A, 20 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)20 mW @ 10 V40 V 7.5 AParameter Symbol Value Unit36.5 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage

 9.2. Size:105K  onsemi
ntms5835nlr2g.pdfpdf_icon

NTMS5P02R2G

NTMS5835NLPower MOSFET40 V, 12 A, 10 mWFeatures Low RDS(on) Low Capacitancehttp://onsemi.com Optimized Gate Charge These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise stated)10 mW @ 10 V40 V 12 AParameter Symbol Value Unit14 mW @ 4.5 VDrain-to-Source Voltage VDSS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: DMN3015LSD | SE2N60B | PSMN3R3-80BS

 

 
Back to Top

 


 
.