NTMSD6N303R2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTMSD6N303R2
Маркировка: E6N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 210 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для NTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2 Datasheet (PDF)
ntmsd6n303r2-d ntmsd6n303r2.pdf
NTMSD6N303R2Power MOSFET6 Amps, 30 VoltsN-Channel SO-8 FETKYtThe FETKY product family incorporates low RDS(on) MOSFETshttp://onsemi.compackaged with an industry leading, low forward drop, low leakageSchottky Barrier rectifier to offer high efficiency components in aMOSFETspace saving configuration. Independent pinouts for MOSFET and6.0 AMPERESSchottky die allow the flexibi
ntmsd3p303r2-d.pdf
NTMSD3P303R2FETKYP-Channel Enhancement-ModePower MOSFET and Schottky DiodeDual SO-8 PackageFeatures High Efficiency Components in a Single SO-8 Package http://onsemi.com High Density Power MOSFET with Low RDS(on),MOSFETSchottky Diode with Low VF-3.05 AMPERES Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die-30 VOLTSAllowing for Flexibility in Application Use
ntmsd2p102lr2.pdf
NTMSD2P102LR2FETKYPower MOSFET and Schottky DiodeDual SO-8 PackageFeatures High Efficiency Components in a Single SO-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on), http://onsemi.comSchottky Diode with Low VF Logic Level Gate DriveMOSFET Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die -2.3 AMPERES, -20 VOLTSAllowing for Flexibility in Application
ntmsd3p102r2-d ntmsd3p102r2.pdf
NTMSD3P102R2FETKYP-Channel Enhancement-ModePower MOSFET and Schottky DiodeDual SO-8 PackageFeatures High Efficiency Components in a Single SO-8 Packagehttp://onsemi.com High Density Power MOSFET with Low RDS(on),Schottky Diode with Low VFMOSFET Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die-3.05 AMPERESAllowing for Flexibility in Application Use-20 VOLT
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
