NTMSD6N303R2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMSD6N303R2  📄📄 

Маркировка: E6N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMSD6N303R2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMSD6N303R2 даташит

 ..1. Size:222K  onsemi
 ntmsd6n303r2-d ntmsd6n303r2.pdf pdf_icon

NTMSD6N303R2

NTMSD6N303R2 Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts N-Channel SO-8 FETKYt The FETKY product family incorporates low RDS(on) MOSFETs http //onsemi.com packaged with an industry leading, low forward drop, low leakage Schottky Barrier rectifier to offer high efficiency components in a MOSFET space saving configuration. Independent pinouts for MOSFET and 6.0 AMPERES Schottky die allow the flexibi

 9.1. Size:202K  onsemi
 ntmsd3p303r2-d.pdf pdf_icon

NTMSD6N303R2

NTMSD3P303R2 FETKY P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package Features High Efficiency Components in a Single SO-8 Package http //onsemi.com High Density Power MOSFET with Low RDS(on), MOSFET Schottky Diode with Low VF -3.05 AMPERES Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die -30 VOLTS Allowing for Flexibility in Application Use

 9.2. Size:95K  onsemi
 ntmsd2p102lr2.pdf pdf_icon

NTMSD6N303R2

NTMSD2P102LR2 FETKY Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package Features High Efficiency Components in a Single SO-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on), http //onsemi.com Schottky Diode with Low VF Logic Level Gate Drive MOSFET Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die -2.3 AMPERES, -20 VOLTS Allowing for Flexibility in Application

 9.3. Size:118K  onsemi
 ntmsd3p102r2-d ntmsd3p102r2.pdf pdf_icon

NTMSD6N303R2

NTMSD3P102R2 FETKY P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package Features High Efficiency Components in a Single SO-8 Package http //onsemi.com High Density Power MOSFET with Low RDS(on), Schottky Diode with Low VF MOSFET Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die -3.05 AMPERES Allowing for Flexibility in Application Use -20 VOLT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NTMS4P01R2, NTMS5835NLR2G, NTMS5838NLR2G, NTMS5P02R2G, NTMS5P02R2SG, NTMS7N03R2G, NTMSD2P102LR2, NTMSD3P102R2, IRFB31N20D, NTNS3164NZ, NTNS3193NZ, NTNS3A65PZ, NTNS3A91PZ, NTNUS3171PZT5G, NTP125N02RG, NTP13N10, NTP18N06