NTMSD6N303R2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTMSD6N303R2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для NTMSD6N303R2
NTMSD6N303R2 Datasheet (PDF)
ntmsd6n303r2-d ntmsd6n303r2.pdf
NTMSD6N303R2 Power MOSFET 6 Amps, 30 Volts N-Channel SO-8 FETKYt The FETKY product family incorporates low RDS(on) MOSFETs http //onsemi.com packaged with an industry leading, low forward drop, low leakage Schottky Barrier rectifier to offer high efficiency components in a MOSFET space saving configuration. Independent pinouts for MOSFET and 6.0 AMPERES Schottky die allow the flexibi
ntmsd3p303r2-d.pdf
NTMSD3P303R2 FETKY P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package Features High Efficiency Components in a Single SO-8 Package http //onsemi.com High Density Power MOSFET with Low RDS(on), MOSFET Schottky Diode with Low VF -3.05 AMPERES Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die -30 VOLTS Allowing for Flexibility in Application Use
ntmsd2p102lr2.pdf
NTMSD2P102LR2 FETKY Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package Features High Efficiency Components in a Single SO-8 Package High Density Power MOSFET with Low RDS(on), http //onsemi.com Schottky Diode with Low VF Logic Level Gate Drive MOSFET Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die -2.3 AMPERES, -20 VOLTS Allowing for Flexibility in Application
ntmsd3p102r2-d ntmsd3p102r2.pdf
NTMSD3P102R2 FETKY P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual SO-8 Package Features High Efficiency Components in a Single SO-8 Package http //onsemi.com High Density Power MOSFET with Low RDS(on), Schottky Diode with Low VF MOSFET Independent Pin-Outs for MOSFET and Schottky Die -3.05 AMPERES Allowing for Flexibility in Application Use -20 VOLT
Другие MOSFET... NTMS4P01R2 , NTMS5835NLR2G , NTMS5838NLR2G , NTMS5P02R2G , NTMS5P02R2SG , NTMS7N03R2G , NTMSD2P102LR2 , NTMSD3P102R2 , IRFB31N20D , NTNS3164NZ , NTNS3193NZ , NTNS3A65PZ , NTNS3A91PZ , NTNUS3171PZT5G , NTP125N02RG , NTP13N10 , NTP18N06 .
History: NTMS4N01R2G | ZXM62P03GTA | DMHC3025LSD
History: NTMS4N01R2G | ZXM62P03GTA | DMHC3025LSD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor





