NTP6410ANG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NTP6410ANG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 170 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
NTP6410ANG Datasheet (PDF)
ntb6410ang ntp6410ang.pdf

NTB6410AN, NTP6410AN,NVB6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 13 mW @ 10 V 76 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-Chan
ntb6410an ntp6410an.pdf

NTB6410AN, NTP6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatures Low RDS(on) High Current Capabilityhttp://onsemi.com 100% Avalanche Tested These are Pb-Free DevicesID MAXV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified)100 V 13 mW @ 10 V 76 AParameter Symbol Value UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 100 VN-ChannelG
ntb6410an ntp6410an nvb6410an.pdf

NTB6410AN, NTP6410AN,NVB6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 13 mW @ 10 V 76 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-Channel
ntb6412ang ntp6412ang.pdf

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)http://onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IRFBC32 | 2SK1793 | UF830G-TMS-T | UPA1803GR | 2SK3591-01MR | IPD60R600PFD7S | 2SK2882
History: IRFBC32 | 2SK1793 | UF830G-TMS-T | UPA1803GR | 2SK3591-01MR | IPD60R600PFD7S | 2SK2882



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73