NTR4003NT1G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NTR4003NT1G 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.69 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 47.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19.7 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для NTR4003NT1G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NTR4003NT1G даташит
ntr4003nt1g.pdf
NTR4003N, NVR4003N Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching http //onsemi.com ESD Protected Gate SOT-23 Package Provides Excellent Thermal Performance V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V 1.0 W @ 4.0
ntr4003n nvr4003n.pdf
NTR4003N, NVR4003N Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching www.onsemi.com ESD Protected Gate SOT-23 Package Provides Excellent Thermal Performance V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V 1.0 W @ 4.0 V
ntr4003n-d.pdf
NTR4003N Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching http //onsemi.com ESD Protected Gate V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX SOT-23 Package Provides Excellent Thermal Performance Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V 1.0 W @ 4.0 V 30 V 0.
lntr4003nlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET 30 V, 0.56 A, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SOT-23 LNTR4003NLT1G Features 3 Low Gate Voltage Threshold(Vgs(th))to Facilitate Drive Circuit Design Low Gate Charge for Fast Switching ESD Protected Gate 1 Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V 2 We declare that the material of product is ROHS compliant an
Другие IGBT... NTR0202PLT1, NTR1P02L, NTR1P02T1, NTR1P02T3, NTR2101PT1G, NTR3161NT1G, NTR3162PT1G, NTR3A30PZ, IRFP064N, NTR4101PT1G, NTR4170NT1G, NTR4171PT1G, NTR4501NT1, NTR4502PT1, NTR4503NT1, NTR5103N, NTR5105P
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: VBE1203M | IRF7752 | APJ50N65P | 3N80G-TF1-T | APG60N10NF | 2SK1727 | QM2402J
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent







