NTR4170NT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTR4170NT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 53.6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для NTR4170NT1G
NTR4170NT1G Datasheet (PDF)
ntr4170n ntr4170nt1g.pdf

Product specificationNTR4170NPower MOSFETV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX30 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-2355 mW @ 10 V 3.2 A30 V 70 mW @ 4.5 V 2.8 AFeatures Low RDS(on)110 mW @ 2.5 V 2.0 A Low Gate ChargeSIMPLIFIED SCHEMATIC - N-CHANNEL Low Threshold Voltage Halide FreeD This is a Pb-Free DeviceApplications Power Converters for PortablesG
ntr4170nt1g.pdf

NTR4170NT1Gwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)
ntr4170n.pdf

NTR4170NPower MOSFET30 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23Features Low RDS(on) Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low Threshold Voltage Halide Free V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX This is a Pb-Free Device55 mW @ 10 V 3.2 AApplications 30 V 70 mW @ 4.5 V 2.8 A Power Converters for Portables110 mW @ 2.5 V 2.0 A Battery Management Load/Power SwitchS
ntr4171p.pdf

NTR4171PPower MOSFET-30 V, -3.5 A, Single P-Channel, SOT-23Features Low RDS(on) at Low Gate Voltage Low Threshold Voltagehttp://onsemi.com High Power and Current Handling Capability This is a Pb-Free Device V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX75 mW @ -10 V -2.2 AApplications Load Switch -30 V 110 mW @ -4.5 V -1.8 A Optimized for Battery and Load Management Appli
Другие MOSFET... NTR1P02T1 , NTR1P02T3 , NTR2101PT1G , NTR3161NT1G , NTR3162PT1G , NTR3A30PZ , NTR4003NT1G , NTR4101PT1G , IRFP260 , NTR4171PT1G , NTR4501NT1 , NTR4502PT1 , NTR4503NT1 , NTR5103N , NTR5105P , NTR5198NL , NTRV4101P .
History: NCE2003 | AP4407GP | MDD4N60BRH | RU30E40L | HF25N50 | SLF18N50C
History: NCE2003 | AP4407GP | MDD4N60BRH | RU30E40L | HF25N50 | SLF18N50C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor