50N06F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 50N06F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для 50N06F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

50N06F даташит

 ..1. Size:418K  nell
50n06a 50n06af 50n06f 50n06g.pdfpdf_icon

50N06F

RoHS 50N06 Series RoHS SEMICONDUCTOR Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (50A, 60Volts) DESCRIPTION D The Nell 50N06 is a three-terminal silicon D device with current conduction capability of 50A, fast switching speed, low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max. threshold voltage of 4 volts. G S They are designed for use in applications

 ..2. Size:521K  chongqing pingwei
50n06 50n06f 50n06b 50n06h 50n06g 50n06d.pdfpdf_icon

50N06F

50N06(F,B,H,G,D) 50 Amps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET FEATURE 50A,60V,R =17.5m @VGS=10V/25A DS(ON)MAX R =20m @VGS=4.5V/25A DS(ON)MAX Low gate charge Low C iss TO-220AB ITO-220AB TO-262 Fast switching 100% avalanche tested 50N06 50N06F 50N06H Improved dv/dt capability TO-263 TO-252 TO-251 50N06B 50N06G 50N06D Absolute Maximum Ratings(T =25 ,unless otherwi

 0.1. Size:1067K  rohm
rsd050n06fra.pdfpdf_icon

50N06F

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD050N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 3) Parallel use is easy. Applications Switching Packaging specif

 0.2. Size:1006K  rohm
rsd150n06fra.pdfpdf_icon

50N06F

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD150N06FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Applications Switching Packaging spec

Другие IGBT... 4N60A, 4N60AF, 4N60G, 4N80A, 4N80AF, 50N02, 50N06A, 50N06AF, 12N60, 50N06G, MSAFX50N20A, 50N30C, 5HB03N8, 5N20V, 5N60A, 5N60AF, 5N60G