MSAFX50N20A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSAFX50N20A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: COOLPACK2

Аналог (замена) для MSAFX50N20A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSAFX50N20A даташит

 ..1. Size:161K  microsemi
 msafx50n20a.pdf pdf_icon

MSAFX50N20A

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax (978) 689-0803 Tel +353 (0) 65 6840044 Fax +353 (0) 65 6822298 Website http //www.microsemi.com N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet DEVICES MSAFX50N20A 200 Volts 50 Amps 45 m FEATURES Ultrafast body diode Rugged poly

 9.1. Size:33K  microsemi
 msafx76n07a.pdf pdf_icon

MSAFX50N20A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX76N07A Features 70 Volts Ultrafast body diode 76 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability 12 m Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistance N-CHANNEL

 9.2. Size:37K  microsemi
 10n90a msafx10n90a.pdf pdf_icon

MSAFX50N20A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX10N90A Features 900 Volts Ultrafast body diode 10 Amps Rugged polysilicon gate cell structure Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability 1.1 Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance Very low thermal resistance N-CHANNEL Rev

 9.3. Size:34K  microsemi
 20n60a msafx20n60a.pdf pdf_icon

MSAFX50N20A

2830 S. Fairview St. Santa Ana, CA 92704 PH (714) 979-8220 FAX (714) 966-5256 MSAFX20N60A Features 600 Volts Ultrafast body diode 20 Amps Rugged polysilicon gate cell structure 350 m Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability Hermetically sealed, surface mount power package Low package inductance N-CHANNEL Very low thermal resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 4N60G, 4N80A, 4N80AF, 50N02, 50N06A, 50N06AF, 50N06F, 50N06G, IRF1010E, 50N30C, 5HB03N8, 5N20V, 5N60A, 5N60AF, 5N60G, 5N65A, 5N65AF