8N60H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 8N60H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 60.5 ns
Выходная емкость (Cd): 105 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-263
8N60H Datasheet (PDF)
8n60h.pdf
RoHS 8N60 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET(8A, 600Volts)DESCRIPTION The Nell 8N60 is a three-terminal silicon device with current conduction capability of 8A,fast switching speed, low on-state resistance,Dbreakdown voltage rating of 600V ,and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications. suchas sw
kia8n60h.pdf
7.5A600VN-CHANNELMOSFET8N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA8N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fastswitchingtime, lowgate charge, lowon-state resistanceand have ahigh rugged avalanchecharacteristics.This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supp
tma8n60h tmd8n60h tmu8n60h.pdf
TMA8N60H, TMD8N60H, TMU8N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking TMA8N60H TO-
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
