AUIRFR120ZTRL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFR120ZTRL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AUIRFR120ZTRL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFR120ZTRL даташит

 ..1. Size:309K  international rectifier
 auirfr120ztrl.pdf pdf_icon

AUIRFR120ZTRL

PD - 96345 AUIRFR120Z AUIRFU120Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 100V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 150m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching max. 190m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 8.7A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * D D Description Specificall

 4.1. Size:309K  international rectifier
 auirfu120z auirfr120z.pdf pdf_icon

AUIRFR120ZTRL

PD - 96345 AUIRFR120Z AUIRFU120Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 100V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 150m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching max. 190m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S ID 8.7A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * D D Description Specificall

 7.1. Size:242K  international rectifier
 auirfr1010z.pdf pdf_icon

AUIRFR120ZTRL

PD - 97683 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR1010Z HEXFET Power MOSFET Features D VDSS Advanced Process Technology 55V Low On-Resistance RDS(on) typ. 5.8m 175 C Operating Temperature max. 7.5m G Fast Switching ID (Silicon Limited) 91A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) S 42A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualifie

 7.2. Size:619K  infineon
 auirfr1018e.pdf pdf_icon

AUIRFR120ZTRL

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR1018E Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 60V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 7.1m 175 C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching ID (Silicon Limited) 79A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 56A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AUIRFN8401, AUIRFN8403, AUIRFN8405, AUIRFN8458, AUIRFN8459, AUIRFP2602, AUIRFP4409, AUIRFP4568-E, IRFZ44N, AUIRFR2307ZTR, AUIRFR2607ZTR, AUIRFR2905ZTR, AUIRFR3504ZTR, AUIRFR3710ZTRL, AUIRFR4104TR, AUIRFR4105TR, AUIRFR4105ZTR