Справочник MOSFET. AUIRLR2905TR

 

AUIRLR2905TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRLR2905TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRLR2905TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  international rectifier
 auirlr2905tr.pdf pdf_icon

AUIRLR2905TR

AUIRLR2905AUTOMOTIVE GRADEAUIRLU2905 Advanced Planar TechnologyHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveDV(BR)DSS Low On-Resistance 55V Dynamic dV/dT RatingRDS(on) max.27m 175C Operating Temperature G Fast SwitchingID42AS Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxD Lead-Free, RoHS Compliant Autom

 4.1. Size:273K  international rectifier
 auirlr2905ztr.pdf pdf_icon

AUIRLR2905TR

PD - 97583AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR2905ZFeaturesHEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process TechnologyDV(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) max.13.5m Fast SwitchingGID (Silicon Limited)60A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS CompliantSID (Package Limited) 42A Automot

 4.2. Size:660K  infineon
 auirlr2905z.pdf pdf_icon

AUIRLR2905TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR2905Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 55V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 13.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 60A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * ID (Package Limited) 42A D Desc

 5.1. Size:230K  international rectifier
 auirlr2908.pdf pdf_icon

AUIRLR2905TR

PD - 97734AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR2908FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar TechnologyD V(BR)DSSl Logic-Level Gate Drive 80Vl Low On-ResistanceRDS(on) typ.22.5ml 175C Operating Temperaturemax 28ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID (Silicon Limited)39Al Repetitive Avalanche AllowedSID (Package Limited)30Aup to Tjmaxl Lead-Free,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AUIRL1404ZSTRL , AUIRL3705ZSTRL , AUIRL7732S2TR1 , AUIRL7736M2TR , AUIRL7766M2TR , AUIRLL024Z , AUIRLR024NTR , AUIRLR2703TR , 20N50 , AUIRLR2905ZTR , AUIRLR3410TRL , AUIRLR3705ZTR , AUIRLS3114Z , AUIRLSL4030 , AUIRLU024Z , AUIRLZ24NL , AUIRLZ24NS .

History: WMM53N65C4 | 14N50L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.