FDPF4D5N10C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDPF4D5N10C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для FDPF4D5N10C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDPF4D5N10C даташит
fdp4d5n10c fdpf4d5n10c.pdf
www.onsemi.com FDP4D5N10C / FDPF4D5N10C N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100 V, 128 A, 4.5 m Features General Description This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 4.5 m at VGS = 10 V, ID = 100 A Semiconductor s advanced PowerTrench process that Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr incorporates Shielded Gate technology. This process has b
fdpf4d5n10c.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDPF4D5N10C FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL
fdpf44n25trdtu.pdf
August 2014 FDPF44N25T N-Channel UniFETTM MOSFET 250 V, 44 A, 69 m Features Description UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage RDS(on) = 69 m (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 22 A MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 47 nC) This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to Low Crss (Typ. 60 pF) provi
fdpf4n60nz.pdf
November 2013 FDPF4N60NZ N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 3.8 A, 2.5 Features Description RDS(on) = 1.9 (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 1.9 A UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC) technology. This advanced MOSFET family has the smallest Low Crss (Typ. 3.7 pF) on
Другие MOSFET... FQI70N08 , 2SK4145 , MTP33N10E , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , 75N75 , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD , IPF075N03L , FQB70N08 , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 .
History: CSD75207W15 | IRFI4110G
History: CSD75207W15 | IRFI4110G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26






