Справочник MOSFET. IPB020N10N5LF

 

IPB020N10N5LF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB020N10N5LF
   Маркировка: 020N10LF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 195 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK TO-263

 Аналог (замена) для IPB020N10N5LF

 

 

IPB020N10N5LF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1011K  infineon
ipb020n10n5lf.pdf

IPB020N10N5LF
IPB020N10N5LF

IPB020N10N5LFMOSFETDPAKOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21Drain

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
ipb020n10n5lf.pdf

IPB020N10N5LF
IPB020N10N5LF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB020N10N5LFFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

 3.1. Size:1169K  infineon
ipb020n10n5.pdf

IPB020N10N5LF
IPB020N10N5LF

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 100 VIPB020N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 100 VIPB020N10N5DPAK1 DescriptionFeatures N-channel, normal level Optimized for FOMOSS Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature

 3.2. Size:204K  inchange semiconductor
ipb020n10n5.pdf

IPB020N10N5LF
IPB020N10N5LF

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB020N10N5FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 7.1. Size:530K  infineon
ipb020ne7n3 ipb020ne7n3g.pdf

IPB020N10N5LF
IPB020N10N5LF

# ! ! TM #:A0 m D n) m xQ #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC 1 DQ H35

 7.2. Size:516K  infineon
ipb020n04n ipb020n04ng.pdf

IPB020N10N5LF
IPB020N10N5LF

pe # ! ! #:A0A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type Package Marking#)

 7.3. Size:1131K  infineon
ipb020n08n5.pdf

IPB020N10N5LF
IPB020N10N5LF

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VIPB020N08N5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VIPB020N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IPB031NE7N3

 

 
Back to Top