IPB020N10N5LF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPB020N10N5LF
Маркировка: 020N10LF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 195 nC
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: D2PAK TO-263
Аналог (замена) для IPB020N10N5LF
IPB020N10N5LF Datasheet (PDF)
ipb020n10n5lf.pdf
IPB020N10N5LFMOSFETDPAKOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21Drain
ipb020n10n5lf.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB020N10N5LFFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
ipb020n10n5.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 100 VIPB020N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 100 VIPB020N10N5DPAK1 DescriptionFeatures N-channel, normal level Optimized for FOMOSS Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature
ipb020n10n5.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPB020N10N5FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUltra-fast body diodeHigh speed switchingVery low on-resistenceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
ipb020ne7n3 ipb020ne7n3g.pdf
# ! ! TM #:A0 m D n) m xQ #4513I CG9D389>7 1>4 3?>F5BD5BC 1 DQ H35
ipb020n04n ipb020n04ng.pdf
pe # ! ! #:A0A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type Package Marking#)
ipb020n08n5.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VIPB020N08N5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VIPB020N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD