SIHG47N60AEF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SIHG47N60AEF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SIHG47N60AEF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIHG47N60AEF даташит

 ..1. Size:171K  vishay
 sihg47n60aef.pdf pdf_icon

SIHG47N60AEF

SiHG47N60AEF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode FEATURES D Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg TO-247AC Low input capacitance (Ciss) Reduced switching and conduction losses G Ultra low gate charge (Qg) Avalanche energy rated (UIS) Material categorization for definitions of compliance S D S please see www.vishay.com

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 sihg47n60aef.pdf pdf_icon

SIHG47N60AEF

isc N-Channel MOSFET Transistor SIHG47N60AEF FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 600 V DSS V

 5.1. Size:170K  vishay
 sihg47n60s.pdf pdf_icon

SIHG47N60AEF

SiHG47N60S www.vishay.com Vishay Siliconix S Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Generation One VDS (V) at TJ max. 650 Low Figure-of-Merit Ron x Qg RoHS RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.07 COMPLIANT 100 % Avalanche Tested Qg max. (nC) 216 Ultra Low Gate Charge Qgs (nC) 39 Qgd (nC) 57 Ultra Low Ron Configuration Single Compliant to R

 5.2. Size:191K  vishay
 sihg47n60ef.pdf pdf_icon

SIHG47N60AEF

SiHG47N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology RDS(on) max. at 25 C ( ) VGS = 10 V 0.065 Reduced trr, Qrr, and IRRM Qg max. (nC) 228 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 32 Increased r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MFT60N12T22FS, MMD60R580QRH, MTD300N20J3, NTHL040N65S3F, NVD4C05NT4G, IXTH12N70X2, PSMN3R7-100BSE, R6018JNX, MMIS60R580P, STD140N6F7, STH140N6F7, STP140N6F7, SUP70060E, TK13A60W, VN1206N5, VN1210N2, WFD5N65L