Справочник MOSFET. SIHG47N60AEF


SIHG47N60AEF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SIHG47N60AEF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 43 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

Аналог (замена) для SIHG47N60AEF



SIHG47N60AEF Datasheet (PDF)

1.1. sihg47n60e.pdf Size:191K _upd-mosfet


SiHG47N60E www.vishay.com Vishay Siliconix E Series Power MOSFET FEATURES PPRODUCT SUMMARY • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg VDS (V) at TJ max. 650 • Low input capacitance (Ciss) RDS(on) max. at 25 °C () VGS = 10 V 0.064 • Reduced switching and conduction losses Qg max. (nC) 220 • Ultra low gate charge (Qg) Qgs (nC) 29 Available Qgd (nC) 57 • Avalanche energy ra

1.2. sihg47n60s.pdf Size:170K _upd-mosfet


SiHG47N60S www.vishay.com Vishay Siliconix S Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Generation One VDS (V) at TJ max. 650 • Low Figure-of-Merit Ron x Qg RoHS RDS(on) max. at 25 °C () VGS = 10 V 0.07 COMPLIANT • 100 % Avalanche Tested Qg max. (nC) 216 • Ultra Low Gate Charge Qgs (nC) 39 Qgd (nC) 57 • Ultra Low Ron Configuration Single • Compliant to R

 1.3. sihg47n60ef.pdf Size:191K _upd-mosfet


SiHG47N60EF www.vishay.com Vishay Siliconix EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY • Fast body diode MOSFET using E series VDS (V) at TJ max. 650 technology RDS(on) max. at 25 °C () VGS = 10 V 0.065 • Reduced trr, Qrr, and IRRM Qg max. (nC) 228 • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) Qgs (nC) 32 • Increased r

1.4. sihg47n60s.pdf Size:168K _vishay


 1.5. sihg47n60aef.pdf Size:261K _inchange_semiconductor


isc N-Channel MOSFET Transistor SIHG47N60AEF ·FEATURES ·With TO-247 packaging ·With low gate drive requirements ·Easy to drive ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 600 V DSS V

Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .


Back to Top