SUP70060E - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUP70060E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 131 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1395 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для SUP70060E
SUP70060E технические параметры
sup70060e.pdf
SUP70060E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.0058 at VGS = 10 V 131 100 53.5 nC 100 % Rg and UIS tested 0.0064 at VGS = 7.5 V 129 Material categorization for definitions of compliance please see TO-220A
sup70060e.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor SUP70060E FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt
sup70040e.pdf
SUP70040E www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ThunderFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) d Qg (TYP.) Maximum 175 C junction temperature 0.0040 at VGS = 10 V 120 100 76 100 % Rg and UIS tested 0.0046 at VGS = 7.5 V 120 Material categorization for definitions of compliance please see TO-220AB
sup70040e.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor SUP70040E FEATURES TrenchFET Power MOSFET 175 C Junction Temperature 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATION Power Supply - Secondary Synchronous Rectification Power tools Motor drive switch Battery management ABSOLUTE MAXIMU
Другие MOSFET... NVD4C05NT4G , IXTH12N70X2 , PSMN3R7-100BSE , R6018JNX , SIHG47N60AEF , STD140N6F7 , STH140N6F7 , STP140N6F7 , STP65NF06 , TK13A60W , VN1206N5 , VN1210N2 , WFD5N65L , CJ1012 , CJ1012-G , CJ2101 , CJ2102 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K | AP80N06T | AP80N06H | AP80N06DH | AP7N10K | AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800
Popular searches
2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor








