CJP10N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJP10N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJP10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP10N60 даташит

 ..1. Size:485K  jiangsu
 cjp10n60 cjpf10n60.pdf pdf_icon

CJP10N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L/TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP10N60,CJPF10N60 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L/TO-220F Description The CJP10N60/CJPF10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have rugged avalanche character

 7.1. Size:375K  jiangsu
 cjp10n65.pdf pdf_icon

CJP10N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP10N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Designed for high voltage, hig

Другие IGBT... CJP04N65, CJP04N65A, CJP05N60, CJP05N60B, CJP07N60, CJP07N65, CJP08N60, CJP08N65, IRF2807, CJP10N65, CJP12N60, CJP12N65, CJP71N90, CJP75N75, CJP75N80, CJP85N80, CJPF01N65B