CJP10N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CJP10N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CJP10N60 Datasheet (PDF)
cjp10n60 cjpf10n60.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L/TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETSCJP10N60,CJPF10N60 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L/TO-220FDescription The CJP10N60/CJPF10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have rugged avalanche character
cjp10n65.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP10N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Designed for high voltage, hig
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IXFC80N10 | FDW254P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406