Справочник MOSFET. CJP10N60

 

CJP10N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJP10N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для CJP10N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  jiangsu
cjp10n60 cjpf10n60.pdfpdf_icon

CJP10N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L/TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETSCJP10N60,CJPF10N60 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L/TO-220FDescription The CJP10N60/CJPF10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have rugged avalanche character

 7.1. Size:375K  jiangsu
cjp10n65.pdfpdf_icon

CJP10N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP10N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Designed for high voltage, hig

Другие MOSFET... CJP04N65 , CJP04N65A , CJP05N60 , CJP05N60B , CJP07N60 , CJP07N65 , CJP08N60 , CJP08N65 , IRFB31N20D , CJP10N65 , CJP12N60 , CJP12N65 , CJP71N90 , CJP75N75 , CJP75N80 , CJP85N80 , CJPF01N65B .

History: SQ3985EV | 6N65KL-TN3-R | LNH06R310 | FDZ7296 | BRCS3400MA | 2N65KL-TF2-T | JCS620CT

 

 
Back to Top

 


 
.