CJP12N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJP12N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CJP12N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP12N60 даташит

 ..1. Size:179K  jiangsu
 cjp12n60.pdf pdf_icon

CJP12N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP12N60 600V N-Channel Power MOSFET TO-220-3L General Description This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withistand 1. GATE high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices

 7.1. Size:392K  jiangsu
 cjp12n65.pdf pdf_icon

CJP12N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP12N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Designed for high voltage, hig

Другие IGBT... CJP05N60, CJP05N60B, CJP07N60, CJP07N65, CJP08N60, CJP08N65, CJP10N60, CJP10N65, IRFZ24N, CJP12N65, CJP71N90, CJP75N75, CJP75N80, CJP85N80, CJPF01N65B, CJPF02N60, CJPF02N65