Справочник MOSFET. CJP12N60

 

CJP12N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJP12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJP12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  jiangsu
 cjp12n60.pdf pdf_icon

CJP12N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP12N60 600V N-Channel Power MOSFET TO-220-3L General Description This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withistand 1. GATE high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices

 7.1. Size:392K  jiangsu
 cjp12n65.pdf pdf_icon

CJP12N60

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP12N65 N-Channel Power MOSFET TO-220-3L GENERAL DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Designed for high voltage, hig

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.