Справочник MOSFET. CTLDM3590

 

CTLDM3590 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTLDM3590
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TLM3D6D8
 

 Аналог (замена) для CTLDM3590

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLDM3590 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  central
ctldm3590.pdfpdf_icon

CTLDM3590

CTLDM3590SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM3590 isSILICON MOSFETan enhancement-mode N-channel MOSFET designed for applications including high speed pulsed amplifiers and drivers. This MOSFET has beneficially low rDS(ON), low threshold voltage, and very low gate charge characteristics.MARKING CODE: 1FEA

 8.1. Size:678K  central
ctldm304p-m832ds.pdfpdf_icon

CTLDM3590

CTLDM304P-M832DSSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM304P-M832DSSILICON MOSFETis a dual enhancement-mode P-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage. M

 8.2. Size:678K  central
ctldm303n-m832ds.pdfpdf_icon

CTLDM3590

CTLDM303N-M832DSSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL N-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM303N-M832DSSILICON MOSFETis a dual enhancement-mode N-Channel silicon MOSFET designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This energy efficient MOSFET offers beneficially low rDS(ON), low gate charge, and low threshold voltage.MA

 9.1. Size:612K  central
ctldm7002a-m621.pdfpdf_icon

CTLDM3590

CTLDM7002A-M621SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFETCTLDM7002A-M621 is a Silicon N-Channel Enhancement-mode MOSFET in a small, thermally efficient, TLM 2x1mm package.MARKING CODE: CPTLM621 CASE FEATURES: Low rDS(ON) Device is Halogen Free by design Low VDS(ON)APPLICATIONS: Low

Другие MOSFET... CJU05N60B , CJU10N10 , CJU4828 , CJV01N60 , CJV01N65B , CJW1012 , CTLDM303N-M832DS , CTLDM304P-M832DS , 2SK3878 , CTLDM7002A-M621 , CTLDM7002A-M621H , CTLDM7003-M621 , CTLDM7120-M563 , CTLDM7120-M621 , CTLDM7120-M621H , CTLDM7120-M832D , CTLDM7120-M832DS .

History: AM40P10-200P | IPD082N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.