Справочник MOSFET. CTLDM8002A-M621H

 

CTLDM8002A-M621H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CTLDM8002A-M621H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TLM621H
 

 Аналог (замена) для CTLDM8002A-M621H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CTLDM8002A-M621H Datasheet (PDF)

 0.1. Size:610K  central
ctldm8002a-m621.pdfpdf_icon

CTLDM8002A-M621H

CTLDM8002A-M621SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFETCTLDM8002A-M621 is a Silicon P-Channel Enhancement-mode MOSFET in a small, thermally efficient, TLM 2x1mm package.MARKING CODE: CNFEATURES: Low rDS(on)TLM621 CASE Low VDS(on) Low Threshold VoltageAPPLICATIONS: Fast Switchi

 0.2. Size:458K  central
ctldm8002a-m621h.pdfpdf_icon

CTLDM8002A-M621H

CTLDM8002A-M621HSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM8002A-M621H SILICON MOSFETis a very low profile (0.4mm) P-Channel enhancement-mode MOSFET in a small, thermal efficient, 1.5mm x 2mm TLM package.MARKING CODE: CNCFEATURES: Low rDS(on)TLM621H CASE Low VDS(on)APPLICATIONS: Low Threshold V

 8.1. Size:418K  central
ctldm8120-m621h.pdfpdf_icon

CTLDM8002A-M621H

CTLDM8120-M621HSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comP-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFETCTLDM8120-M621H is a very low profile (0.4mm) P-Channel enhancement-mode MOSFET in a small, thermally efficient, 1.5mm x 2mm TLM package.MARKING CODE: CNFTLM621H CASE Device is Halogen Free by designFEATURES:APPLICATIONS: Low rDS(ON)

 8.2. Size:466K  central
ctldm8120-m832d.pdfpdf_icon

CTLDM8002A-M621H

CTLDM8120-M832DSURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL, P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR SILICON MOSFETSCTLDM8120-M832D is an Enhancement-mode Dual P-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the P-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET offers Low rDS(ON) and Low Threshold Volt

Другие MOSFET... CTLDM7120-M563 , CTLDM7120-M621 , CTLDM7120-M621H , CTLDM7120-M832D , CTLDM7120-M832DS , CTLDM7181-M832D , CTLDM7590 , CTLDM8002A-M621 , AO3400 , CTLDM8120-M621H , CTLDM8120-M832D , CTLM7110-M832D , CTLM8110-M832D , CTM01N60 , CTM02N60 , CTM04N60 , CTM06N60 .

History: IPB60R160C6 | AOI600A60 | FDMA86108LZ | SSM5N16FE | 5N65G-TN3-R | NCE60N1K0R

 

 
Back to Top

 


 
.