DE275X2-102N06A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DE275X2-102N06A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: DE275X2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DE275X2-102N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DE275X2-102N06A даташит

 0.1. Size:141K  ixys
 de275x2-102n06a.pdf pdf_icon

DE275X2-102N06A

DE275X2-102N06A RF Power MOSFET Common Source Push-Pull Pair N-Channel Enhancement Mode Low Qg and Rg VDSS = 1000 V High dv/dt ID25 = 16 A Nanosecond Switching RDS(on) = The DE275X2-102N06A is a matched pair of RF power MOSFET devices in a 0.8 common source configuration. The device is optimized for push-pull or paral- PDC = 1180 W

 6.1. Size:168K  ixys
 de275x2-501n16a.pdf pdf_icon

DE275X2-102N06A

DE275X2-501N16A RF Power MOSFET Common Source Push-Pull Pair N-Channel Enhancement Mode VDSS = 500 V Low Qg and Rg High dv/dt ID25 = 16 A Nanosecond Switching RDS(on) = 0.38 The DE275X2-501N16A is a matched pair of RF power MOSFET devices in a common source configuration. The device is optimized for push-pull or paral- PDC = 1180 W lel operatio

 9.1. Size:137K  ixys
 de275-201n25a.pdf pdf_icon

DE275X2-102N06A

DE275-201N25A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode VDSS = 200 V Low Qg and Rg High dv/dt ID25 = 25 A Nanosecond Switching RDS(on) = 0.13 Ideal for Class C, D, & E Applications Symbol Test Conditions Maximum Ratings PDC = 590 W TJ = 25 C to 150 C VDSS 200 V TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 200 V Continuous VGS 20 V Transie

 9.2. Size:167K  ixys
 de275-102n06a.pdf pdf_icon

DE275X2-102N06A

DE275-102N06A RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode VDSS = 1000 V Low Qg and Rg High dv/dt ID25 = 8 A Nanosecond Switching RDS(on) = 1.5 Ideal for Class C, D, & E Applications PDC = 590 W Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25 C to 150 C VDSS 1000 V TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 1000 V Continuous VGS 20 V Transi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DE150-101N09A, DE150-102N02A, DE150-201N09A, DE150-501N04A, DE275-101N30A, DE275-102N06A, DE275-201N25A, DE275-501N16A, 75N75, DE275X2-501N16A, DE375-102N10A, DE375-102N12A, DE375-501N21A, DE475-102N20A, DE475-102N21A, DE475-501N44A, DI9400T