SFH9244 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFH9244

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SFH9244

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFH9244 даташит

 ..1. Size:920K  samsung
 sfh9244.pdf pdf_icon

SFH9244

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -250 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -8.7 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -250V Lower RDS(ON) 0.549 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

 8.1. Size:207K  fairchild semi
 sfh9240.pdf pdf_icon

SFH9244

SFH9240 Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10 A(Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 0.344 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

 8.2. Size:911K  samsung
 sfh9240.pdf pdf_icon

SFH9244

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = -200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = -11 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = -200V Lower RDS(ON) 0.344 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic

 9.1. Size:545K  fairchild semi
 sfh9250l.pdf pdf_icon

SFH9244

Advanced Power MOSFET SFH9250L FEATURES BVDSS = -200 V Logic-Level Gate Drive RDS(on) = 0.23 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = -19.5 A Lower Input Capacitances Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P Lower Leakage Current 10uA (Max.) @ VDS=-200V Lower RDS(ON) 0.175 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SDFE22JAB, SFF9140, SFF9240, SFF9244, SFH154, SFH9140, SFH9154, SFH9240, 12N60, SFI2955, SFI9510, SFI9520, SFI9530, SFI9610, SFI9614, SFI9620, SFI9624