DMG9N65CTI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DMG9N65CTI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DMG9N65CTI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG9N65CTI даташит

 ..1. Size:407K  diodes
 dmg9n65cti.pdf pdf_icon

DMG9N65CTI

DMG9N65CTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) Package TC = +25 C High BVDss Rating for Power Application 650V 1.3 @ VGS = 10V ITO-220AB 9.0A Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 dmg9n65cti.pdf pdf_icon

DMG9N65CTI

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG9N65CTI FEATURES Drain Current I = 9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 5.1. Size:226K  diodes
 dmg9n65ct.pdf pdf_icon

DMG9N65CTI

DMG9N65CT Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for Power Application TC = +25 C Low Input/Output Leakage 650V 1.3 @ VGS = 10V TO-220AB 9.0 A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descripti

 5.2. Size:261K  inchange semiconductor
 dmg9n65ct.pdf pdf_icon

DMG9N65CTI

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG9N65CT FEATURES Drain Current I = 9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMG6601LVT, DMG6602SVTQ, DMG7401SFG, DMG7408SFG, DMG7410SFG, DMG7430LFG, DMG7702SFG, DMG9N65CT, IRF1407, DMGD7N45SSD, DMHC10H170SFJ, DMHC3025LSD, DMHC4035LSD, DMJ7N70SK3, DMN1019UFDE, DMN1019USN, DMN1019UVT