DMG9N65CTI - аналоги и даташиты транзистора

 

DMG9N65CTI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMG9N65CTI
   Маркировка: 9N65CTI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для DMG9N65CTI

 

DMG9N65CTI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  diodes
 dmg9n65cti.pdf pdf_icon

DMG9N65CTI

DMG9N65CTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) Package TC = +25 C High BVDss Rating for Power Application 650V 1.3 @ VGS = 10V ITO-220AB 9.0A Low Input/Output Leakage Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 dmg9n65cti.pdf pdf_icon

DMG9N65CTI

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG9N65CTI FEATURES Drain Current I = 9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 5.1. Size:226K  diodes
 dmg9n65ct.pdf pdf_icon

DMG9N65CTI

DMG9N65CT Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID V(BR)DSS RDS(ON) Package High BVDss rating for Power Application TC = +25 C Low Input/Output Leakage 650V 1.3 @ VGS = 10V TO-220AB 9.0 A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descripti

 5.2. Size:261K  inchange semiconductor
 dmg9n65ct.pdf pdf_icon

DMG9N65CTI

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG9N65CT FEATURES Drain Current I = 9A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMG6601LVT , DMG6602SVTQ , DMG7401SFG , DMG7408SFG , DMG7410SFG , DMG7430LFG , DMG7702SFG , DMG9N65CT , IRF1407 , DMGD7N45SSD , DMHC10H170SFJ , DMHC3025LSD , DMHC4035LSD , DMJ7N70SK3 , DMN1019UFDE , DMN1019USN , DMN1019UVT .

 

 
Back to Top

 


 
.