DMN2005UFG - аналоги и даташиты транзистора

 

DMN2005UFG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMN2005UFG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 546 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI3333-8
 

 Аналог (замена) для DMN2005UFG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2005UFG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:334K  diodes
 dmn2005ufg.pdf pdf_icon

DMN2005UFG

DMN2005UFG20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = 25C (t

 7.1. Size:162K  diodes
 dmn2005lpk.pdf pdf_icon

DMN2005UFG

DMN2005LPKN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: DFN1006-3 Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input/Output Leakage Terminal Connections: S

 7.2. Size:239K  diodes
 dmn2005k.pdf pdf_icon

DMN2005UFG

DMN2005KN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-23 Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C Low Input/Output Leakage

 7.3. Size:178K  diodes
 dmn2005dlp4k.pdf pdf_icon

DMN2005UFG

DMN2005DLP4KDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: DFN1310H4-6 Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN10H170SVT , DMN10H220L , DMN10H220LE , DMN10H220LVT , DMN1150UFB , DMN1260UFA , DMN13H750S , DMN15H310SE , EMB04N03H , DMN2011UFDE , DMN2011UFX , DMN2013UFDE , DMN2013UFX , DMN2014LHAB , DMN2015UFDE , DMN2016LFG , DMN2016LHAB .

History: HAT1055RJ | HAT1055R | IPP60R160P7

 

 
Back to Top

 


 
.