DMN2320UFB4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN2320UFB4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: X2-DFN1006-3

Аналог (замена) для DMN2320UFB4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2320UFB4 даташит

 ..1. Size:189K  diodes
 dmn2320ufb4.pdf pdf_icon

DMN2320UFB4

DMN2320UFB4 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Footprint of just 0.6mm2 thirteen times smaller than SOT23 ID max V(BR)DSS RDS(on) 0.4mm profile ideal for low profile applications TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage 320m @ VGS= 4.5V 1.0A Fast Switching Speed 20V 500m @ VGS= 2.5V 0.65A Totally Le

 9.1. Size:165K  diodes
 dmn2300ufb4.pdf pdf_icon

DMN2320UFB4

A Product Line of Diodes Incorporated DMN2300UFB4 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Footprint of just 0.6mm2 thirteen times smaller than SOT23 ID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25 C 0.4mm profile ideal for low profile applications (Note 5) Low Gate Threshold Voltage 175m @ VGS = 4.5V 1.30A Fast Switching Speed 240m @ VGS =

 9.2. Size:275K  diodes
 dmn2300ufd.pdf pdf_icon

DMN2320UFB4

A Product Line of Diodes Incorporated DMN2300UFD 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID max Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25 C (Notes 4) Lead Free , RoHS Compliant (Note 1) 200m @ VGS = 4.5V 1.73A Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2) 260m @ VGS = 2.5V

 9.3. Size:225K  diodes
 dmn2300ufl4.pdf pdf_icon

DMN2320UFB4

DMN2300UFL4 20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID max Footprint of Just 1.3 mm2 TA = +25 C V(BR)DSS Max RDS(on) Ultra Low Profile Package - 0.4mm Profile (Note 6) On Resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN2065UW, DMN2075UDW, DMN2104L-7, DMN2170U-7, DMN21D2UFB, DMN2250UFB, DMN2300UFD, DMN2300UFL4, IRFB4227, DMN2400UFB, DMN2400UFD, DMN24H11DS, DMN24H3D5L, DMN2500UFB4, DMN2501UFB4, DMN2550UFA, DMN25D0UFA