Справочник MOSFET. DMN3035LWN

 

DMN3035LWN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN3035LWN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: V-DFN3020-8
 

 Аналог (замена) для DMN3035LWN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3035LWN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  diodes
dmn3035lwn.pdfpdf_icon

DMN3035LWN

DMN3035LWN 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) MAX TA = +25C Low Input Capacitance 35m @ VGS = 10V 5.5A Fast Switching Speed 30V 45m @ VGS = 4.5V 4.9A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descriptio

 8.1. Size:153K  diodes
dmn3033lsd.pdfpdf_icon

DMN3035LWN

DMN3033LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 22m @ VGS = 10V Moisture Sensitivity: Level 1

 8.2. Size:321K  diodes
dmn3032le.pdfpdf_icon

DMN3035LWN

DMN3032LE30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low On-ResistanceV(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low Input Capacitance 29m @ VGS = 10V 5.6A Fast Switching Speed 30V 35m @ VGS = 4.5V 4.8A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Gre

 8.3. Size:272K  diodes
dmn3030lfg.pdfpdf_icon

DMN3035LWN

DMN3030LFGGreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) PackageTA = +25C Small form factor thermally efficient package enables higher 18m @ VGS = 10V POWERDI 8.6A density end products 30V 3333-8 27m @ VGS = 4.5V 5.5A Occupies just 33% of the boa

Другие MOSFET... DMN3024SFG , DMN3025LFG , DMN3025LSS , DMN3026LVT , DMN3029LFG , DMN3030LFG , DMN3032LE , DMN3033LSNQ , AON7506 , DMN3042L , DMN3050S-7 , DMN3053L , DMN3065LW , DMN3067LW , DMN3070SSN , DMN30H14DLY , DMN30H4D0L .

History: IRF6668 | GP1T160A120B | IPB048N06LG | AM3930N | IPD60R1K0PFD7S | HM2N10MR | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.