Справочник MOSFET. DMN53D0U

 

DMN53D0U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN53D0U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для DMN53D0U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN53D0U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  diodes
 dmn53d0u.pdf pdf_icon

DMN53D0U

DMN53D0UN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) Low On-ResistanceTA = +25C 2 @ VGS = 5V 300 mA Very Low Gate Threshold Voltage 50V 2.5 @ VGS = 2.5V 200 mA Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage ESD Protected Totall

 7.1. Size:237K  diodes
 dmn53d0lw.pdf pdf_icon

DMN53D0U

DMN53D0LWN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 2.0 @ VGS = 10V 360mA 50V Fast Switching Speed 3.0 @ VGS = 5V 250mA ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description Halogen and Antimony Free.

 7.2. Size:248K  diodes
 dmn53d0lt.pdf pdf_icon

DMN53D0U

DMN53D0LTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance Very Low Gate Threshold Voltage 1.6 @ VGS = 10V 350 mA 50V Low Input Capacitance 2.5 @ VGS = 4.5V 200 mA Fast Switching Speed Low Input/ Output Leakage Ultra-Small Surface

 7.3. Size:328K  diodes
 dmn53d0l.pdf pdf_icon

DMN53D0U

DMN53D0LN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits ID N-Channel MOSFETV(BR)DSS RDS(ON) TA = +25C Low On-Resistance Very Low Gate Threshold Voltage 1.6 @ VGS = 10V 500 mA 50V Low Input Capacitance 2.5 @ VGS = 4.5V 200 mA Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage ESD Protected to 2KV

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... DMN4026SK3 , DMN4026SSD , DMN4060SVT-7 , DMN53D0L , DMN53D0LDW , DMN53D0LT , DMN53D0LV , DMN53D0LW , NCEP15T14 , DMN5L06-7 , DMN5L06DMKQ , DMN5L06T-7 , DMN5L06W-7 , DMN6013LFG , DMN6040SFDE , DMN6040SK3 , DMN6040SSD .

History: HTN035N04P | IXTT80N20L | MPVA20N50F | 2SK2299 | NVMFS5C670NL | BRCS120N03ZJ | VSP1R4N04HS-G

 

 
Back to Top

 


 
.