DMN6040SK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN6040SK3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для DMN6040SK3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN6040SK3 даташит

 ..1. Size:238K  diodes
dmn6040sk3.pdfpdf_icon

DMN6040SK3

DMN6040SK3 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(on) max TC = +25 C Low On-Resistance 40m @ VGS = 10V 20A Fast Switching Speed 60V 50m @ VGS = 4.5V 16A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Qualified to AEC-Q1

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
dmn6040sk3.pdfpdf_icon

DMN6040SK3

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN6040SK3 FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 40m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 0.1. Size:808K  cn vbsemi
dmn6040sk3-13.pdfpdf_icon

DMN6040SK3

DMN6040SK3-13 www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwi

 6.1. Size:243K  diodes
dmn6040ssd.pdfpdf_icon

DMN6040SK3

DMN6040SSD 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Input Capacitance ID Low On-Resistance V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25 C Fast Switching Speed Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 40m @ VGS = 10V 5.0A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 60V 4.4A Qualified to AEC

Другие IGBT... DMN53D0LW, DMN53D0U, DMN5L06-7, DMN5L06DMKQ, DMN5L06T-7, DMN5L06W-7, DMN6013LFG, DMN6040SFDE, IRFB7545, DMN6040SSD, DMN6040SSS, DMN6040SVT, DMN6069SE, DMN6070SFCL, DMN6070SSD, DMN6075S, DMN6140L