DMS3016SSS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: DMS3016SSS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.54 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для DMS3016SSS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DMS3016SSS даташит
dms3016sss.pdf
DMS3016SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically Case SO-8 integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low RDS(ON) - minimizes conduction losses UL Flammability Classification Rating 94V-0
dms3016sssa.pdf
DMS3016SSSA N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically Case SO-8 integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low RDS(ON) - minimizes conduction losses UL Flammability Classification Rating 94V-0
fdms3016dc.pdf
July 2013 FDMS3016DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 30 V, 49 A, 6.0 m Features General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 6.0 m at VGS = 10 V, ID = 12 A Advancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 9.0 m at VGS
dms3012sfg.pdf
DMS3012SFG 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID V(BR)DSS RDS(ON) Package integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver TA = +25 C Low RDS(ON) minimize conduction losses 10m @ VGS = 10V 12A Low VSD reducing the losses due to bo
Другие MOSFET... DMP6250SE , DMS05N60 , DMS2085LSD , DMS2095LFDB , DMS3012SFG , DMS3014SFG , DMS3014SSS , DMS3015SSS , 8205A , DMS3017SSD , DMS3019SSD , DMT3008LFDF , DMT5015LFDF , DMT6008LFG , DMT6010LFG , DMT6016LFDF , DMT6016LPS .
History: FDB0300N1007L | 2SJ374 | ME8205E-G
History: FDB0300N1007L | 2SJ374 | ME8205E-G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50









